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華太電子研發出650V和1200V超級結IGBT（SJ-IGBT）系列產品，超級結IGBT充分利用Super Junction結構的物理優勢，有效提升器件的正向導通特性及開關性能，推動高性能電力轉換系統設計。
功率器件承壓能力與芯片漂移區厚度密切相關，一般設計中，均采用低摻雜、厚漂移區的結構，以保證器件能夠符合目標耐壓等級要求。由于超級結IGBT內部具有更加平坦的電場分布，相較傳統FS-IGBT，SJ-IGBT可采用更薄的漂移區以滿足器件耐壓等級的要求。薄的漂移區有利于降低器件的通態壓降，從而實現降低IGBT通態損耗的目標。此外，超級結結構使得IGBT在關斷過程中，加速過剩載流子空穴的抽離，從而有效降低IGBT開關損耗。
目前，華太SJ-IGBT已在光伏、儲能等領域開始大批量使用，助力高效、高頻化的電力電子系統設計。