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高壓旁路理想二極管

結合N型MOSFET和電容，性能優(yōu)于傳統(tǒng)肖特基二極管，具備更低正向電壓、更低損耗、極小反向漏電流和更高反向電壓

概覽

結合N型MOSFET和電容，性能優(yōu)于傳統(tǒng)肖特基二極管，具備更低正向電壓、更低損耗、極小反向漏電流和更高反向電壓
- 100V最高反向電壓
- 低導通電阻/高占空比于控制電壓
- 零靜態(tài)功耗
- 低至1μA的反向漏電
- 正向導通電壓遠低于肖特基二極管
- 典型反向漏電低至0.1µA
- 99%占空比，有效降低正向通流的功耗

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