崗位職責:
1.主導IGBT和SiC MOSFET的功率模塊產品開發,完善功率模塊研發流程;
2.根據市場分析和客戶的反饋,轉換為產品規格需求,制定功率模塊產品(IGBT模塊和SiC模塊)路標
3.負責功率模塊產品定義,了解技術方向和產品架構,輸出產品目標規格書,項目立項報告;
4.進行功率模塊產品的總體設計,包括內部電路拓撲、芯片選擇,芯片排列方式、打線方案等
5.主導功率模塊電學性能仿真,熱學仿真和力學仿真;
6.跨部門協作,能夠抗壓完成工作,積極進取,對接功率模塊客戶需求。
崗位要求:
1.碩士及以上學歷,C9院校優先,電氣工程、微電子、半導體器件等專業;
2.三年以上功率模塊產品開發或相關應用工作經驗,有功率模塊產品開發經驗者優先;
3.精通功率模塊開發,了解功率模塊開發流程,掌握功率模塊開發設計能力;
4.掌握常見功率拓撲(如三相逆變器、三電平變流器、Buck/Boost等)工作原理;
5.工作中熟練使用Ansys Simplorer, Q3D, Icepak, Mechanical等各類EDA軟件。